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标题
Extracting defect profiles in ion-implanted GaN from ion channeling
从离子沟道提取离子注入GaN中的缺陷轮廓
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通量 材料科学 离子 离子注入 卢瑟福背散射光谱法 离子束 透射电子显微镜 辐照 蒙特卡罗方法 原子物理学 聚焦离子束 扩散 辐射损伤 位错 分子物理学 核物理学 纳米技术 薄膜 化学 物理 统计 数学 有机化学 复合材料 热力学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107702
DOI
10.1016/j.mssp.2023.107702 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Afonso Caçador; Przemysław Jóźwik; S. Magalhães; J.G. Marques; E. Wendler; et al
出版日期：2023-07-10
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CodeCraft 在 2025-05-31 16:52:40 发布，悬赏 10 积分
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