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Investigation of Transient Radiation Effects in CMOS ICS Using the TCAD Simulation and Experiment 相关领域
瞬态(计算机编程)
CMOS芯片
辐射
材料科学
香料
电子工程
光电子学
计算机科学
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期刊:Journal of the Korean Physical Society 作者:Sang-Keun Oh; N. H. Lee; H. H. Lee 出版日期:2011-08-12 |
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