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In-situ sulfur anion doping for defect passivation and stability enhancement in ZnSnO thin-film transistors |
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期刊:Journal of Physics D 作者:Cheng Lian; Meng-Yang Liu; Chuanxin Huang; Г. Х. Мавлонов; С. Б. Исамов; et al 出版日期:2025-11-25 |
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(2025-6-4)