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 Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga2O3 Schottky Photodiode With Low Dark Current 低暗电流同质外延Ga2O3肖特基光电二极管在低偏压下实现超高增益
相关领域
光电二极管
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光电子学
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砷化镓
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhuoqun Zheng; Yaoping Lu; Jiachang Zhuang; Lemin Jia; Shuyuan Zhu; et al 出版日期：2024-01-01 |
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