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 Pristine Graphene Insertion at the Metal/Semiconductor Interface to Minimize Metal-Induced Gap States 在金属/半导体界面插入原始石墨烯以最小化金属诱导的间隙态
相关领域
材料科学
半导体
硅
双层
费米能级
石墨烯
金属
凝聚态物理
纳米技术
光电子学
带隙
膜
量子力学
生物
遗传学
物理
电子
冶金
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Jun-Ho Park; Seong‐Jun Yang; Changwon Choi; Si‐Young Choi; Cheol‐Joo Kim 出版日期：2021-05-05 |
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