标题 |
Structural, Chemical and Electrical Properties of Au/La2O3/n-GaN MIS Junction with a High-k Lanthanum Oxide Insulating Layer
高k氧化镧绝缘层Au/La2O3/n-GaN MIS结的结构、化学和电学性能
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期刊:Journal of Electronic Materials 作者:M. Uma; N. Balaram; P.R. Sekhar Reddy; V. Janardhanam; V. Rajagopal Reddy; et al 出版日期:2019-04-10 |
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