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 Low temperature selective growth of Ga-doped and Ga–B co-doped germanium source/drain for PMOS devices 用于PMOS器件的Ga掺杂和Ga-B共掺杂锗源/漏的低温选择性生长
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Clément Porret; Gianluca Rengo; Mustafa Ayyad; Andriy Hikavyy; Erik Rosseel; et al 出版日期：2023-01-10 |
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