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  Operando study of HfO2 atomic layer deposition on partially hydroxylated Si(111) 部分羟基化Si（111）上HfO2原子层沉积的操作研究
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Rosemary Jones; Giulio D’Acunto; Payam Shayesteh; Indiana Pinsard; F. Rochet; et al 出版日期：2024-02-28 |
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