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Charge transfer induced symmetry breaking in GaN/Bi2Se3 topological heterostructure device GaN/Bi2Se3拓扑异质结构器件中电荷转移诱导的对称破缺
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期刊:npj 2D Materials and Applications 作者:Faizan Ahmad; Rachana Kumar; Sunil Singh Kushvaha; Mahesh Kumar; Pramod Kumar 出版日期:2022-02-28 |
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