标题 |
Charge Control in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs With Partially and Fully Depleted p-GaN Conditions
部分和完全耗尽p-GaN条件下肖特基型p-GaN栅HEMTs的电荷控制
相关领域
高电子迁移率晶体管
充电控制
材料科学
光电子学
波段图
接受者
兴奋剂
氮化镓
肖特基势垒
晶体管
肖特基二极管
拓扑(电路)
异质结
凝聚态物理
图层(电子)
电气工程
物理
电压
纳米技术
量子力学
功率(物理)
工程类
电池(电)
二极管
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Qianshu Wu; Jia Chen; Liang He; Jinwei Zhang; Qiuling Qiu; et al 出版日期:2022-01-07 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|