标题 |
Temperature dependence of Al/Ti-based Ohmic contact to GaN devices: HEMT and MOSFET
Al/Ti基欧姆接触GaN器件的温度依赖性:HEMT和MOSFET
相关领域
欧姆接触
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
接触电阻
氮化镓
MOSFET
异质结
晶体管
宽禁带半导体
电气工程
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电压
图层(电子)
工程类
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其它 |
期刊:Microelectronic Engineering 作者:A. Fontserè; Amador Pérez‐Tomás; Marcel Placidi; P. Fernández-Martínez; N. Baron; et al 出版日期:2011-10-01 |
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