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Self-selective analogue FeOx-based memristor induced by the electron transport in the defect energy level
缺陷能级电子输运诱导的FeOx基自选择模拟忆阻器
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Changrong Liao; Xiaofang Hu; Xiaoqin Liu; Bai Sun; Guangdong Zhou 出版日期:2022-09-19 |
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