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 GaN as an Interfacial Passivation Layer: Tuning Band Offset and Removing Fermi Level Pinning for III–V MOS Devices GaN作为界面钝化层：III-V MOS器件的能带偏移调谐和费米能级钉扎消除
相关领域
材料科学
带偏移量
钝化
费米能级
氧化物
光电子学
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氮化镓
图层（电子）
纳米技术
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化学
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物理
有机化学
量子力学
电子
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Zhaofu Zhang; Ruyue Cao; Changhong Wang; Hao Li; Hong Dong; et al 出版日期：2015-02-25 |
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