| 标题 |
 GaN as an Interfacial Passivation Layer: Tuning Band Offset and Removing Fermi Level Pinning for III–V MOS Devices GaN作为界面钝化层：III-V MOS器件的能带偏移调谐和费米能级钉扎消除
相关领域
材料科学
带偏移量
钝化
费米能级
氧化物
光电子学
氧气
氮化镓
图层（电子）
凝聚态物理
纳米技术
带隙
冶金
化学
量子力学
价带
物理
电子
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Zhaofu Zhang; Ruyue Cao; Changhong Wang; Hao Li; Hong Dong; et al 出版日期：2015-02-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
yufanhui
余味
剑指东方是为谁
赫枫
高大凌寒
bc
Thien
平常的毛豆
遇上就这样吧
非而者厚
andrele
VDC
昏睡的蟠桃
机灵柚子
核桃
飘零无边
back you up
Singularity
dodo
皖公网安备34019202002308
