标题 |
Interface state density and channel mobility for 4H-SiC MOSFETs with nitrogen passivation
相关领域
材料科学
钝化
光电子学
MOSFET
电子迁移率
晶体管
跨导
分析化学(期刊)
氧化物
阈值电压
原子层沉积
栅极电介质
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其它 |
期刊:Applied Surface Science 作者:G.Y. Chung; J.R. Williams; C.C. Tin; K. McDonald; D. Farmer; et al 出版日期:2002-10-14 |
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研友_8503xZ 在
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