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 Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time 相关领域
德拉姆
动态随机存取存储器
材料科学
退火（玻璃）
晶体管
薄脆饼
量子隧道
MOSFET
分析化学（期刊）
数据保留
保留时间
光电子学
凝聚态物理
电气工程
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| DOI |
10.1109/led.2014.2319094
doi
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Albert Nissimoff; Joao Antonio Martino; Marc Aoulaiche; Anabela Veloso; Liesbeth J. Witters; et al 出版日期：2014 |
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