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 基于光阻涂覆后硅衬底晶圆边缘“风旋”缺陷的研究 |
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于光阻涂覆后硅衬底晶圆边缘“风旋”缺陷的研究 李庆斌张晨阳朴勇男孙会权 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 摘要：涂胶工艺是光刻技术中重要的步骤,本文介绍了一种基于12inch硅衬底晶圆涂覆光刻胶改善其边缘"风旋"问题的方法,结合实验系统考察了工艺配方中滴胶速度、甩胶时间、甩胶速度、主转速结构等因素对涂胶结果的影响,最终得到了适宜的涂胶工艺,实验采用Barc胶,12inch 晶圆。 关键词： 涂胶;风旋;均一性;膜厚; DOI： 10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2020.04.009 专辑： 信息科技 专题： 无线电电子学 分类号： TN405 |
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