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 Impact of N2O Plasma Reactant on PEALD-SiO2 Insulator for Remarkably Reliable ALD-Oxide Semiconductor TFTs 相关领域
等离子体
物理
材料科学
分析化学（期刊）
化学
有机化学
核物理学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dong-Gyu Kim; Kwang Su Yoo; Hye-Mi Kim; Jin-Seong Park 出版日期：2022-06-01 |
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