Device simulation of GeSe homojunction and vdW GeSe/GeTe heterojunction TFETs for high-performance application

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标题	Device simulation of GeSe homojunction and vdW GeSe/GeTe heterojunction TFETs for high-performance application 高性能GeSe同质结和vdW GeSe/GeTe异质结TFETs器件仿真相关领域同质结异质结材料科学量子隧道隧道场效应晶体管单层双层光电子学离子凝聚态物理纳米技术晶体管场效应晶体管物理化学电压生物化学量子力学膜
网址	https://doi.org/10.1007/s10825-022-01867-z
DOI	10.1007/s10825-022-01867-z doi
其它	期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Qida Wang; Peipei Xu; Hong Li; Fengbin Liu; Shuai Sun; et al 出版日期：2022-03-28
求助人	anan 在 2024-01-01 21:17:10 发布自中国，悬赏 10 积分
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