标题 |
Length scaling of the Double Gate Tunnel FET with a high-K gate dielectric
高K栅介质双栅隧道场效应管的长度标度
相关领域
缩放比例
跨导
材料科学
晶体管
阈下斜率
栅极电介质
量子隧道
光电子学
高-κ电介质
阈下传导
电介质
场效应晶体管
金属浇口
隧道场效应晶体管
电气工程
MOSFET
阈值电压
功勋
栅氧化层
电压
工程类
数学
几何学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Solid-State Electronics 作者:K. Boucart; Adrian M. Ionescu 出版日期:2007-11-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|