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Donor nonuniformity in undoped and Si doped n-GaN prepared by epitaxial lateral overgrowth
非掺杂和Si掺杂n-GaN外延侧向过生长中施主不均匀性的研究
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期刊:Applied Physics Letters 作者:E. B. Yakimov; П. С. Вергелес; A. Y. Polyakov; N. B. Smirnov; А. В. Говорков; et al 出版日期:2008-01-28 |
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