标题 |
![]() N掺杂LaB6金属和高k LaB x Ny绝缘体堆叠结构的Ar/N2等离子体氮化隔离工艺实现并五苯基浮栅存储器的3 V工作
相关领域
并五苯
材料科学
兴奋剂
分析化学(期刊)
电极
光电子学
等离子体
纳米技术
化学
薄膜晶体管
图层(电子)
物理
物理化学
色谱法
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Eun-Ki Hong; Shun-ichiro Ohmi 出版日期:2022-12-28 |
求助人 |
decimo
在
2025-06-02 07:03:59 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|