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 Revisiting the mechanisms involved in Line Width Roughness smoothing of 193 nm photoresist patterns during HBr plasma treatment HBr等离子体处理193 nm光刻胶图形线宽粗糙度平滑机理的再探讨
相关领域
光刻胶
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：M. Brihoum; R. Ramos; K. Menguelti; G. Cunge; E. Pargon; et al 出版日期：2013-01-04 |
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