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 Residual Ga2O3 and Cs contribution to increase in maximum quantum efficiency of NEA-GaAs surface formed through two-step thermal cleaning process 残余Ga2O3和Cs对两步热清洗工艺形成的NEA-GaAs表面最大量子效率增加的贡献
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期刊：Applied Surface Science 作者：Yuhi Sada; M. Jono; D. Kobayashi; Yoshihiro Yoshitake; T. Meguro 出版日期：2022-06-11 |
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