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 P-Type Ohmic Contact to Monolayer WSe2 Field-Effect Transistors Using High-Electron Affinity Amorphous MoO3 使用高电子亲和力非晶MoO3的单层WSe2场效应晶体管的P型欧姆接触
相关领域
二硒化钨
欧姆接触
单层
半导体
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化学
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Yi‐Hsun Chen; Kaijian Xing; Song Liu; Luke N. Holtzman; Daniel L. Creedon; et al 出版日期：2022-11-09 |
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