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 A Physical Charge-Based Model for Transient Response of Metal Oxide Thin-Film Transistors Considering Relaxation of Trap States 考虑陷阱态弛豫的金属氧化物薄膜晶体管瞬态响应的物理电荷模型
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhao‐Hua Zhou; Lei Zhou; Sai Liu; Bo Yan; Rui‐Peng Chen; et al 出版日期：2024-01-01 |
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