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Electronic band transformation from indirect gap to direct gap in Si–H compound
Si-H化合物中从间接带隙到直接带隙的电子能带转变
相关领域
带隙
半导体
材料科学
密度泛函理论
电荷(物理)
直接和间接带隙
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化学
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量子力学
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期刊:Chinese Physics B 作者:Jianning Ding; Junxiong Wang; Ningyi Yuan; Biao Kan; Xiaoshuang Chen 出版日期:2010-07-01 |
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