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 Normally-off β-Ga2O3 Power Heterojunction Field-Effect-Transistor Realized by p-NiO and Recessed-Gate 用p-NiO和凹栅实现的常关β-Ga2O3功率异质结场效应晶体管
相关领域
非阻塞I/O
拓扑（电路）
电气工程
化学
工程类
有机化学
催化作用
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| 其它 |
期刊： 作者：Xuanze Zhou; Qi Liu; Weibing Hao; Guangwei Xu; Shibing Long 出版日期：2022-05-22 |
| 求助人 | |
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