标题 |
Polarization enhanced two-dimensional hole gas in III-nitride heterostructures for cryogenically operated GaN-based p-channel field effect transistors
低温工作GaN基p沟道场效应晶体管中III-氮化物异质结构中极化增强的二维空穴气体
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
场效应晶体管
阈值电压
晶体管
极化(电化学)
电压
化学
电气工程
物理化学
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Yingjie Wang; Sen Huang; Qimeng Jiang; Xinhua Wang; Zhongchen Ji; et al 出版日期:2023-12-25 |
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