Probing the Effects of the First Atomic Layer on the Dynamic Behavior of Sub-2 nm MgO/Al2O3 Memristors

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标题	Probing the Effects of the First Atomic Layer on the Dynamic Behavior of Sub-2 nm MgO/Al2O3 Memristors 探索第一原子层对亚2 nm MgO/Al2O3忆阻器动态行为的影响
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c04654
DOI	10.1021/acsami.5c04654 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Angelo Marshall; Ryan Goul; Berg Dodson; Ridwan Sakidja; Hartwin Peelaers; et al 出版日期：2025
求助人	西北在 2025-08-22 21:04:56 发布自陕西，悬赏 10 积分
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