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Probing the Effects of the First Atomic Layer on the Dynamic Behavior of Sub-2 nm MgO/Al2O3 Memristors 探索第一原子层对亚2 nm MgO/Al2O3忆阻器动态行为的影响
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Angelo Marshall; Ryan Goul; Berg Dodson; Ridwan Sakidja; Hartwin Peelaers; et al 出版日期:2025 |
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