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 Blocking Characteristics of 2.2 kV and 3.3 kV-Class 4H-SiC MOSFETs with Improved Doping Control for Edge Termination 改进边缘端接掺杂控制的2.2 kV和3.3 kV级4H-SiC MOSFET的阻挡特性
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期刊：Materials Science Forum 作者：Keiji Wãda; Kosuke Uchida; Ren Kimura; Mitsuhiko Sakai; Satoshi Hatsukawa; et al 出版日期：2014-02-26 |
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