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 High‐Current‐Density Enhancement‐Mode Ultrawide‐Bandgap AlGaN Channel Metal–Insulator–Semiconductor Heterojunction Field‐Effect Transistors with a Threshold Voltage of 5 V 阈值电压为5 V的高电流密度增强型超宽带隙AlGaN沟道金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管
相关领域
跨导
材料科学
截止频率
光电子学
异质结
阈值电压
场效应晶体管
电流密度
晶体管
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半导体
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物理
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工程类
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期刊：physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 作者：Hao Xue; Kamal Hussain; Vishank Talesara; Towhidur Razzak; Mikhail Gaevski; et al 出版日期：2021-02-06 |
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