All ITO-based transparent resistive switching random access memory using oxygen doping method

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标题	All ITO-based transparent resistive switching random access memory using oxygen doping method 相关领域材料科学光电子学电阻随机存取存储器兴奋剂电容器透射率氧气可靠性（半导体）溅射非易失性存储器重置（财务）数码产品薄膜纳米技术电极电气工程化学电压物理物理化学工程类经济功率（物理）有机化学金融经济学量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.09.076
DOI	10.1016/j.jallcom.2015.09.076 doi
其它	期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Hee‐Dong Kim; Min Ju Yun; Sungho Kim 出版日期：2015-09-12
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