| 标题 |
 A Novel Channel-Less SOT-MRAM with 115% TMR, 2 ns Switching, and High Bit Yield (>99.9%) 一种新型无沟道SOT-MRAM，具有115%TMR、2 ns开关和高比特率（>99.9%）
相关领域
磁阻随机存取存储器
产量（工程）
位（键）
频道（广播）
材料科学
光电子学
计算机科学
随机存取存储器
计算机硬件
电信
计算机网络
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Enlong Liu; Wenlong Yang; Kaiyuan Zhou; Yang Gao; Zhenghui Ji; et al 出版日期：2024-12-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
鸣笛
核桃
归尘
8R60d8
小青椒
pluto
遇上就这样吧
zcl
馆长
GingerF
昏睡的蟠桃
iNk
生动梦松
jenningseastera
小明
pcr163
all
xiazhishang
WLWLW
皖公网安备34019202002308
