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 A Novel Channel-Less SOT-MRAM with 115% TMR, 2 ns Switching, and High Bit Yield (>99.9%) 一种新型无沟道SOT-MRAM，具有115%TMR、2 ns开关和高比特率（>99.9%）
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Enlong Liu; Wenlong Yang; Kaiyuan Zhou; Yang Gao; Zhenghui Ji; et al 出版日期：2024-12-07 |
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