Effect of SiH4 fragments and H radicals on nc-Si:H film deposition in an inductively coupled plasma PECVD

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标题	Effect of SiH4 fragments and H radicals on nc-Si:H film deposition in an inductively coupled plasma PECVD SiH4碎片和H自由基对电感耦合等离子体PECVD沉积nc-Si：H薄膜的影响相关领域等离子体增强化学气相沉积材料科学感应耦合等离子体沉积（地质）等离子体分析化学（期刊）激进的薄膜纳米技术有机化学化学古生物学物理量子力学沉积物生物
网址	https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.106040
DOI	10.1016/j.surfin.2025.106040 doi
其它	期刊：Surfaces and Interfaces 作者：Min Young Yoon; Hee Jung Yeom; Jong‐Ryul Jeong; Hyo‐Chang Lee; Jung‐Hyung Kim 出版日期：2025-02-01
求助人	羊驼在 2025-04-01 13:32:34 发布自江苏，悬赏 10 积分
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