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 Investigation of Traps Impact on PAE and Linearity of AlGaN/GaN HEMTs Relying on a Combined TCAD–Compact Model Approach 基于TCAD-Compact模型组合方法研究陷阱对AlGaN/GaN HEMTs PAE和线性的影响
相关领域
材料科学
线性
光电子学
电子工程
工程物理
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Petros Beleniotis; Christos Zervos; Sascha Krause; Serguei Chevtchenko; D. Ritter; et al 出版日期：2024-04-22 |
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