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 Improvement in both mobility and bias stability of ZnSnO transistors by inserting ultra-thin InSnO layer at the gate insulator/channel interface 在栅极绝缘体/沟道界面插入超薄InSnO层提高ZnSnO晶体管的迁移率和偏置稳定性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ji-In Kim; Kwang Hwan Ji; Hong Yoon Jung; Se Yeob Park; Rino Choi; et al 出版日期：2011-09-19 |
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