Improvement in both mobility and bias stability of ZnSnO transistors by inserting ultra-thin InSnO layer at the gate insulator/channel interface

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标题	Improvement in both mobility and bias stability of ZnSnO transistors by inserting ultra-thin InSnO layer at the gate insulator/channel interface 在栅极绝缘体/沟道界面插入超薄InSnO层提高ZnSnO晶体管的迁移率和偏置稳定性相关领域薄膜晶体管材料科学阈值电压光电子学氧化铟锡图层（电子）晶体管压力（语言学）氧化物电压纳米技术电气工程冶金语言学哲学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.3643054
DOI	10.1063/1.3643054 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Ji-In Kim; Kwang Hwan Ji; Hong Yoon Jung; Se Yeob Park; Rino Choi; et al 出版日期：2011-09-19
求助人	林先森在 2025-07-25 21:40:37 发布自福建，悬赏 10 积分
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