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Single-Gate MoS2 Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction
厚度调制同质结单栅MoS2隧道场效应管
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期刊:ACS applied materials & interfaces 作者:Tomohiro Fukui; Tomonori Nishimura; Yasumitsu Miyata; K. Ueno; Takashi Taniguchi; et al 出版日期:2024-02-07 |
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