Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Hybrid P-NiO Junction Termination Extension

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标题	Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Hybrid P-NiO Junction Termination Extension 具有混合P-NiO结终端延伸的垂直GaN肖特基势垒二极管
网址	https://doi.org/10.1109/JEDS.2024.3432783
DOI	10.1109/JEDS.2024.3432783 doi
其它	期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Shaocheng Li; Shu Yang; Zhao Han; Weibing Hao; Kuang Sheng; et al 出版日期：2024
求助人	JPL3729 在 2025-12-05 11:08:30 发布自河南，悬赏 10 积分
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