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  Statistical investigation of dislocation induced leakage current paths in AlGaN/GaN HEMT structures on Si and the impact of growth conditions Si上AlGaN/GaN HEMT结构中位错诱导漏电流路径的统计研究及生长条件的影响
相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Sven Besendörfer; Elke Meissner; Jochen Friedrich; Sven Besendörfer; Elke Meissner; et al 出版日期：2022-08-12 |
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