Etching p-GaN to manage current spreading to reduce surface recombination in AlGaN micro-LEDs

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标题	Etching p-GaN to manage current spreading to reduce surface recombination in AlGaN micro-LEDs 蚀刻p-GaN以管理电流扩散以减少AlGaN微型LED中的表面复合相关领域发光二极管材料科学光电子学蚀刻（微加工）光学电流（流体）氮化镓纳米技术图层（电子）物理热力学
网址	https://doi.org/10.1364/oe.569308 AI链接 doi.orgdoi.org
DOI	10.1364/oe.569308 doi
其它	期刊：Optics Express 作者：Jie Yang; Z.S. Liu; Shuo Xu; Chunyan Liu; Zhe Cheng; et al 出版日期：2025-07-28
求助人	DDD 在 2025-09-11 21:27:06 发布自江西，悬赏 10 积分
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