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 High-efficiency InGaN red light-emitting diodes with external quantum efficiency of 10.5% using extended quantum well structure with AlGaN interlayers 采用AlGaN夹层扩展量子阱结构的高效InGaN红光二极管
相关领域
光电子学
发光二极管
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宽禁带半导体
量子阱
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光学
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量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：D. Lee; Youngjin Choi; Seung Min Jung; Yongmin Kim; Soo Young Park; et al 出版日期：2024-03-18 |
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