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 Achieving Excellent Surface Passivation with J0,s Less Than 0.5 fA cm−2 Utilizing a Carbon‐Incorporated Intrinsic Polysilicon‐Based Tunnel Oxide Passivating Contact Structure 利用掺入碳的本征多晶硅基隧道氧化物钝化接触结构实现J0，s小于0.5 fA cm-2的优异表面钝化
相关领域
钝化
材料科学
薄脆饼
硅
氧化物
碳纤维
光电子学
化学气相沉积
晶体硅
载流子寿命
图层（电子）
分析化学（期刊）
纳米技术
复合材料
冶金
化学
复合数
色谱法
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| 其它 |
期刊：Small Methods 作者：Hongwei Zhou; Zunke Liu; Zhenhai Yang; Ruoyi Wang; Xian Zhang; et al 出版日期：2025-06-05 |
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