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 Simulation of A 3.5 kV 4H-SiC/Ga2O3 E-mode MISFET with Integrated Reverse-conducting Heterojunction and Hetero-Channel Diode 集成反向导电异质结和异质沟道二极管的3.5 kV 4H-SiC/Ga2O3 E模MISFET的仿真
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