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作者
Pengfei Gu,Jiangbo Chen,Dini Xie,Wei Liu,Fengjuan Liu,Hongda Sun,Young Suk Song,Liangchen Yan,Zhongyuan Wu
摘要
In this paper, the mutual interaction of gate voltage between top gate and bottom gate in a‐IGZO TFT was investigated. The Vth of top gate (or bottom gate) show a parallel shift with the change of bottom gate (or top gate) voltage. The magnitude of Vth shifts can be described by some approximate analytical expression.
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