Ultra-Large Silicon Diode for Characterizing Low-Intensity Radiation Environments

二极管 光电子学 辐射 材料科学 强度(物理) 物理 工程物理 环境科学 电气工程 光学 工程类
作者
Kacper Biłko,Rubén García Alía,Sylvain Girard,Mario Sacristán Barbero,Matteo Cecchetto,C. Bélanger-Champagne,Matteo Brucoli,Salvatore Danzeca,Alex Hands,Pedro Martín-Holgado,Yolanda Morilla,Amor Romero-Maestre,Marc Sebban,M. Widorski
出处
期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (4): 770-776
标识
DOI:10.1109/tns.2023.3337839
摘要

We present applications of a large commercial silicon diode (50 cm 2 x 500 um) for monitoring low-intensity radiation fields, together with benchmarks via Monte Carlo simulations. After the energy calibration with monoenergetic proton and alpha beams in the 2-8 MeV range, we show that the detector is capable of measuring atmospheric radiation at the ground level, not only in terms of a total number of events but also through their energy deposition distribution. Focusing on the atmospheric-like neutron spectrum, we prove that the diode detection cross-section is more than 5 orders of magnitude larger with respect to SRAM-based solutions, and highlight the potential use cases in the accelerator's radiation environment.
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