Atomic-resolution lithography with an on-chip scanning tunneling microscope

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作者
Afshin Alipour,Emma L. Fowler,S. O. Reza Moheimani,James H. G. Owen,John N. Randall
出处
期刊:Journal of vacuum science and technology [American Vacuum Society]
卷期号:40 (3) 被引量:8
标识
DOI:10.1116/6.0001826
摘要

In this work, atomic-resolution lithography with a Microelectromechanical-System (MEMS) based Scanning Tunneling Microscope (STM) is demonstrated for the first time. The microscope consists of a commercial UltraHigh-Vacuum (UHV) STM whose regular tip is replaced with a 1-Degree-of-Freedom (1-DOF) MEMS nanopositioner. This results in a hybrid STM system where XY-plane motions are provided by the piezotube of the original system and Z-axis motion by the MEMS with a higher bandwidth. Sharp tips made of Pt or W are added to the MEMS devices with postfabrication techniques. With this hybrid system, STM-based lithography is demonstrated on an H-passivated Si (100)-2×1 sample under UHV condition. Results prove the capability of the hybrid STM system for atomic-scale lithography. This capability, paired with the small footprint of the MEMS device, makes this approach a candidate for building a high-throughput parallel STM lithography platform by incorporating an array of 1-DOF MEMS devices that perform lithography in parallel.

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