Electrode Engineering in Halide Perovskite Electronics: Plenty of Room at the Interfaces

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作者
Chun‐Ho Lin,Long Hu,Xinwei Guan,Jiyun Kim,Chien‐Yu Huang,Jianguo Huang,Simrjit Singh,Tom Wu
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:34 (18) 被引量:57
标识
DOI:10.1002/adma.202108616
摘要

Contact engineering is a prerequisite for achieving desirable functionality and performance of semiconductor electronics, which is particularly critical for organic-inorganic hybrid halide perovskites due to their ionic nature and highly reactive interfaces. Although the interfaces between perovskites and charge-transporting layers have attracted lots of attention due to the photovoltaic and light-emitting diode applications, achieving reliable perovskite/electrode contacts for electronic devices, such as transistors and memories, remains as a bottleneck. Herein, a critical review on the elusive nature of perovskite/electrode interfaces with a focus on the interfacial electrochemistry effects is presented. The basic guidelines of electrode selection are given for establishing non-polarized interfaces and optimal energy level alignment for perovskite materials. Furthermore, state-of-the-art strategies on interface-related electrode engineering are reviewed and discussed, which aim at achieving ohmic transport and eliminating hysteresis in perovskite devices. The role and multiple functionalities of self-assembled monolayers that offer a unique approach toward improving perovskite/electrode contacts are also discussed. The insights on electrode engineering pave the way to advancing stable and reliable perovskite devices in diverse electronic applications.
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