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A Study on the Optimization of the ITO/Ag/ITO Multilayer Transparent Electrode by Using In-line Magnetron Sputtering

薄板电阻 材料科学 氧化铟锡 电极 透射率 光电子学 溅射 溅射沉积 电阻率和电导率 薄膜 可见光谱 图层(电子) 复合材料 纳米技术 电气工程 物理化学 化学 工程类
作者
Seung Yong Lee,Yeo Tak Yoon,Eou‐Sik Cho,Sang Jik Kwon
出处
期刊:Journal of KIEEME [The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers]
卷期号:30 (3): 162-169 被引量:1
标识
DOI:10.4313/jkem.2017.30.3.162
摘要

Indium tin oxide (ITO) thin films show a low sheet resistance and high transmittance in the visible range of the spectrum. Therefore, they play an important role as transparent electrodes for flat panel displays. However, their resistivity is rather high for use as a transparent electrode in large displays. One way to improve electrical and optical properties in large displays is to use ITO/Ag/ITO multilayer films. ITO/Ag/ITO multilayer films have lower sheet resistance than single layer ITO films with the same thickness. Prior to the ITO/Ag/ITO multilayer experiments, optimal condition for thickness change are necessary. Their thicknesses were deposited differently in order to analyze electrical and optical properties. However, when optimal single film characteristics are applied to ITO/Ag/ITO multilayer films, other phenomena appeared. After analyzing the electrical and optical properties by changing ITO and Ag film thickness, ITO/Ag/ITO multilayer films were optimized. By combining ITO film at $586\;{\AA}$ and Ag film at 10 nm, the ITO/Ag/ITO multilayer films showed optimized high optical transmittance of 87.65%, and the low sheet resistance of $5.5{\Omega}/sq$.

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