Nanoscale structural change in a sputter-deposited SiO2/a-Si/SiO2 sandwich

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作者
B. Q. Li,Wentao Xu,Toshiyuki Fujimoto,Isao Kojima
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:95 (3): 1600-1602 被引量:1
标识
DOI:10.1063/1.1636523
摘要

We report direct evidence that annealing a sputter-deposited SiO2/a-Si/SiO2 sandwiched structure on Si(100) results in the Si layer to expand. X-ray reflectivity (XRR) revealed the thickness of the Si layer to be temperature-dependent. Auger depth profiling (ADP) detected marked difference in the annealing behavior between the SiO2/a-Si and a-Si/SiO2 interfaces and oxygen diffusion into the Si layer at the a-Si/SiO2 interface. High-resolution electron microscopy observation further identified the formation of Si nanocrystals, the increase in thickness of the Si layer, and the presence of oxygen-rich nanocavities at the Si/SiO2 interface, which confirms the XRR and ADP measurements.
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