Improved Drain Current Characteristics of HfO2/SiO2 Dual Material Dual Gate Extension on Drain Side-TFET

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作者
B. Balaji,K. Srinivasa Rao,K. Girija Sravani,B. Kalivaraprasad,N. V. Bindu Madhav,K. Chandrahas,B.R.B Jaswanth
出处
期刊:Silicon [Springer Nature]
卷期号:14 (18): 12567-12572 被引量:23
标识
DOI:10.1007/s12633-022-01955-6
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